按刻蚀气体去除刻蚀物的机理，干法刻蚀又分为物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学性刻蚀3种。干法刻蚀装置包括等离子体刻蚀、反应离子刻蚀、溅射刻蚀以及离子磨等，最普通的干法刻蚀装置为平行平板反应离子刻蚀。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具有两个特点：

一方面，等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以尽快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的，这一般表现为各向同性刻蚀；

另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的，这一般表现为各向异性刻蚀。因此，干法刻蚀是硅圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。

干法刻蚀装置的种类及刻蚀特征

图中表示干法刻蚀装置的种类及刻蚀特征。从图中右边的双向箭头可以看出，从下至上，工作气压渐高，粒子能量变低，逐渐以化学反应为主，各向同性刻蚀渐强；从上至下，工作气压渐低，粒子能量变高，逐渐以物理反应为主，各向异性刻蚀渐强。