（报告出品方/作者：东北证券）

1.半导体产业链梳理

1.1.半导体的定义和分类

半导体是指常温环境下，导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域均有应用。半导体是电子元器件中的一类，归属于电子行业，而电子元器件是元件和器件的总称，其中元件称为被动元件，器件则为半导体器件。被动元件是指自身不消耗电能或者能将电能转换为其他形式的能力，只需要输入信号而不需要外加电源就能正常工作的特性。半导体器件则是电子线路的核心，一切振荡、放大、调制、解调以及电流转换都离不开半导体器件。

具体的半导体产业根据下游应用场景的不同又分成两类，分别是半导体分立器件和半导体集成电路，半导体分立器件是指用于电力电子作为开关或整流器的分立半导体器件，根据HISMarkit的预测，MOSFET和IGBT是未来5年增长强劲的功率半导体器件。半导体集成电路是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互联，集成在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能，具体又分为微处理器、逻辑芯片、存储器、模拟芯片。

年全球半导体销售额.89亿美元，同比增速6.80%，全球半导体市场主要集中在亚太地区，年占比61.54%，且近年来亚太地区半导体销售额占比逐年增加，而集成电路产业占比半导体产业比重最大，年集成电路占比82.02%。全球半导体市场主要集中在中国大陆和中国台湾地区，一方面亚太地区的需求量较大，另一方面亚太地区在芯片制造环节的代工企业较多。

1.2.半导体行业的上下游情况

从半导体产业链角度看，半导体材料和半导体设备是半导体行业的产业链上游，也是半导体行业的支撑产业。半导体行业中游为制造行业，其中集成电路行业是半导体行业复杂程度最高的行业，具体可以分为“设计—制造—封测”三个环节，集成电路行业具有资本密集和技术壁垒高的特点，需要市场不断加大资本投入和技术研发升级，受摩尔定律影响，每隔18-24个月发生一次技术迭代。半导体下游需求行业主要为PC、通信、消费电子、汽车和工业运用等。

1.2.1.半导体材料

半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料，可以分为基础材料、制造材料和封装材料。基础材料主要是硅晶圆片和化合物半导体，制造材料主要是指气体、光刻胶、溅射靶材、抛光材料（抛光垫和抛光液）、掩膜版、湿化学品等，封装材料主要是指芯片粘结材料、键合丝、陶瓷封装材料、引线框架、封装基板和切割材料等。整体看，硅片占半导体材料的比重最大，接近三分之一，而硅片、光掩膜、光刻胶和气体四种材料占整体比例在三分之二以上。半导体行业硅片难度高，市场规模小（年全球半导体硅片市场规模.5亿美元），市场集中度较高。

(一)半导体基本材料

1、硅晶圆片材料

国产硅片制造水平落后，硅片自给率较低，对海外依赖性较强。半导体硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料，是半导体产业链基础性的环节，而国内半导体硅片生产制造技术水平与国际先进水平相比，差距较大，当前的半导体硅片供应高度依赖进口，自给率仅有15%左右，国产化进程较为落后，国内半导体材料企业多供应6寸以下硅片，少量企业布局8英寸和12英寸生产线，国内主要有中环股份、沪硅产业、金瑞泓科技和超硅半导体等。

硅片向大尺寸方向发展，但8寸硅片仍然是主要需求和成熟工艺。目前硅片市场受下游半导体需求影响，需求增速较快，由于晶圆尺寸越大，可利用效率越高，导致硅片尺寸也在不断增大，目前12英寸硅片为主流品种，近年来增速较快，主要应用于90纳米以下制程的集成电路芯片，下游应用主要在手机、计算机、云计算、人工智能等终端半导体产品。8英寸硅片主要应用于90纳米以上制程的特色工艺芯片，包括模拟电路、射频芯片、嵌入式存储器、图像传感器等，主要应用于汽车电子、工业电子和物联网等领域。

2、化合物半导体材料

半导体晶圆材料的发展，经过了近百年逐渐从第一代的单一元素半导体向化合物半导体材料方向发展，形成了第二代和第三代半导体材料，目前第二代半导体材料已经经过多年的应用，半导体材料已经向第三代以碳化硅和氮化镓为主的半导体材料方向发展。

第三代半导体材料相比于前两代半导体材料具有更好的性能，主要运用在功率半导体市场。首先是速度快，能提高芯片的性能。第三代半导体采用的是宽禁带材料，关断时候漏电电流会更小，导通的时候导通阻抗更小，而且寄生电容的工艺材料远远小于硅工艺，所以芯片的运行速度相对更快，功耗消耗也更低，待机时间更长。其次是能量转换效率更高，功率损耗更小。如新能源车，使用SiC芯片驱动的新能源车比于传统硅片如IGBT驱动的电动汽车的能量耗损比前者低5倍左右，因此可以加大续航里程。最后是可以承受更大的功率和更高的电压，从而可以大幅提高产品的功率密度。

3、电子气体

国内电子特气技术与国外仍然存在较大差距，对国外的依赖度较高，行业集中度高。电子气体是指用于半导体及相关电子产品生产的特种气体，在应用途径上可分为掺杂用气体、外延用气体、离子注入气体、刻蚀用气体、化学气相沉积气体以及平衡气体。电子特种气体从生产端到分离提出以及运输供应环节都具有较高的技术壁垒，市场壁垒较高，主要集中在几家跨国企业手里，核心技术壁垒是特种电子气体提纯工艺，纯度越高的气体，能够有效提高电子器件生产的良率和性能。目前电子气体全球市场规模在百亿左右，国内市场规模占比在30%~40%，国内企业市占率12%左右，进口替代空间大，但市场规模较小，仅占IC材料成本的5%-6%。

4、光掩膜

国内光掩膜行业相对薄弱，对国外依赖度较高，部分企业已掌握完整生产技术，实现技术难点的全面突破。光掩膜又称光罩，是半导体制造中光刻工艺所使用的图形母版，是将不透明的透光薄膜在透明的底板上形成掩膜图形，再将曝光图形转移到基片上，主要应用在IC设计和晶圆制造，光掩膜的两个最大技术难点分别是透光性和提纯技术，透光性要求做到光罩%不透光而基本%透光，而提纯技术要将基板的石英提纯到电子级别。光掩膜占半导体材料成本的14%左右，年市场全球市场规模亿元，国内市场占全球规模接近一半，国内85%左右依赖进口，后续有望加快国产替代步伐。

5、光刻胶

国内企业在光刻胶市场份额占比极低，全球市场集中度较高，年市场规模22亿美元左右。光刻胶是一种感光材料，在光的照射下发生化学反应，利用溶解度的变化将光学信号转换为化学信号，再通过曝光、显影以及刻蚀等步骤，将电路从光掩膜转移到基片上，光刻胶及其配套化学品在芯片成本中占比达到12%左右。主要种类有PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶，难度技术也是依次递增，相应国产化比重越来越低，半导体光刻胶主要集中在美日手里，前五大厂商（日本JSR、东京应化、信越化学、罗门哈斯和富士电子）占据全球市场份额的87%，行业集中度较高，国产化率不足5%。

由于集成电路的集成水平已由过去的微米级水平进入纳米级水平，为了匹配集成电路的发展水平，相应的光刻胶试剂纯度也逐渐提升，制备光刻胶的分辨率水平也从此前的紫外宽谱向g线、i线、KrF、ArF、极紫外光以及更高端方向发展，难点在于一方面是技术上有差距，另一方面是下游晶圆制造商重新选择新的光刻胶供应商成本较大，里面涉及到产线和工艺路线的相应调整，如需要光刻机进行配对调试。

高端制程的光刻胶主要由日本企业掌握，国内企业处于初级起步阶段，主要在低端制程上有所突破，国产替代难度较大。目前先进制程EUV光刻胶仅有日本的JSR实现量产，日本和美国的其他几家企业正进入研发阶段，而先进制程下的国产光刻胶技术差距较大，主要来自彤程新材收购的北京科华，KrF（nm）光刻胶已经实现量产，ArF（nm）光刻胶进入认证阶段。另一个是晶瑞股份旗下的苏州瑞红，KrF（nm）技术完成了中试，后续通过后可获得量产，而ArF光刻胶正启动研发。

1.2.2.半导体设备

半导体设备占晶圆制造商资本支出的70%-80%，其中前道设备占主导地位，日美荷品牌占据全球前十大设备制造商地位，国产化率仍处于较低水平，国产替代空间大。在新晶圆设备投资中，晶圆加工的前道设备占比达到85%，封测设备占比达到15%，全球前十大半导体设备制造商占据了市场50%以上份额，目前国内半导体设备主要依赖进口，年全球半导体设备销售额达到.9亿美元，同比增长19%，预计年半导体设备市场规模将超千亿美元，而国内目前半导体市场需求占全球20%左右，未来国产替代空间大。

半导体设备根据不同的工艺流程环节需要相应的设备，主要用于芯片制造，其中前道技术含量较高，工艺制造更为困难，需要的设备较多，如晶圆清洗、热氧化需要用到清洗机，光刻环节需要用到光刻机和涂胶显影设备，刻蚀环节需要用到刻蚀机，离子注入、退火环节需要用到离子注入机、扩散环节需要用到扩散炉，化学气相沉积环节需要用到CVD，物理气相沉积环节需要用到PVD，化学机械研磨环节需要用到CMP。后道封测设备主要用于封装检测，用到的设备有测试机和分选机等。最关键的设备主要是光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备，占前道设备的近70%。

半导体细分市场的品牌主要集中在美日荷企业手中，前端设备最重要的光刻机，荷兰阿斯麦占据市场份额的75%，其他的有佳能和尼康；刻蚀机主要是美国泛林半导体占据了市场50%份额，其次是日本东京电子TEL占据了42%；离子注入机主要由美国应用材料占据了市场50%份额，其次是美国亚舍立占据市场份额的20%；薄膜沉积设备，如CVD、PVD和原子层沉积主要由美国应用材料、日本东京电子和美国泛林半导体占据了市场多数份额；化学机械研磨设备CMP主要由美国应用材料占据市场一半份额以及日本的TYK占据了市场30%份额；其他比较重要的设备如清洗机主要由日本的迪恩士DNS占据市场45%份额，东京电子占据市场25%份额，美国泛林半导体占据市场15%份额。

高端设备国产化较弱，低端设备国产化进程较快。如去胶设备基本实现国产化，主要代表厂商为北京屹唐半导体，清洗设备、刻蚀设备和热处理设备的国产占比20%左右，主要有中微公司和北方华创，PVD设备和CVD设备国产占比10%左右，主要为北方华创，涂胶显影设备有芯源微实现零突破，光刻设备则主要由上海微电子，目前在90纳米实现量产，自研的DUV光刻机28纳米已通过技术认证与检测，预计21年实现正式量产商用。

（二）半导体前道设备

1、光刻机难度技术最高

年全球光刻机市场规模达到3.8亿美元，到年有望达到6.8亿美元，CAGR达到7.2%，最先进的EUV光刻机单机成本在8万美元~1.22亿美元之间。光刻机是半导体设备中的最顶端技术，目前已经发展到第五代EUV设备，仅有荷兰阿斯麦能够设计和制造EUV设备，国产光刻设备在90纳米以上低端制程领域有所建树。光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一，是将临时的电路图复制刻画到硅片上，光源通过掩膜版将图形转移到硅片表面的光敏感薄膜上。而价值量最高的为光刻机，已发展到现在的第五代极紫外技术水平，光刻机两个要求较高的点分别为光刻机的中心镜头以及光源。

光刻机的中心镜头对于镜头要求较高，需要高纯度透光以及高抛光，而技术水平能够达到这一标准的企业并不多，如阿斯麦的光刻机镜头来自德国的蔡司，镜头打磨对于工匠的技术要求较高，无法通过工业化能够解决，需要长期的技术积淀。而光源主要源于随着分辨率的提高，根据光的波长与分辨率的关系，波长越短分辨率越高，能够实现芯片制程越高端，而波长越短的光源容易受到仪器设备的能量吸收，从而导致最后光线功率较低，无法达到要求，所以需要体积小、功率高一级稳定性强的光源。

光刻机的发展是在光源改进，工艺创新的驱动下不断更新换代。半导体的发展遵循着摩尔定律，而光刻机是延续摩尔定律的关键。摩尔定律指出，在价格不变的情况下，集成电路上可以容纳的元器件数目，约每隔18-24个月将会增加一倍，性能也会提升一倍。半导体发展基本遵循着摩尔定律，核心就是光刻机能够不断突破达到更小的分辨率水平，随着分辨率的不断提高，摩尔定律的时间有所延长，已经到3-4年。

光刻机的最小分辨率、生产效率和良率随着技术水平的不断改进而有所提升。光刻机分辨率遵循公式R=kλ/NA，R为分辨率，越小分辨率越高，k是工艺常数，λ是光源波长，波长越短分辨率越高，NA是物镜孔径数值，受到传播介质影响，一般折射率越高的，物镜孔径越大，分辨率越高。此外，工艺技术上有双工作台改进、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新发展也在不断改善光刻机的工艺制程水平和提高工艺效率以及良率。

2、刻蚀机仅次于光刻机难度

刻蚀机研发难度和客户认证门槛极高，主要由国外三家企业占据市场统治地位，国内部分企业实现了0到1的突破。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料过程，刻蚀过程需要使用专业的刻蚀设备即刻蚀机，刻蚀技术水平的高低直接决定了芯片制程的大小，刻蚀机占据了晶圆设备投资的20%左右。预测刻蚀机全球市场年约亿美元，到年市场规模有望达到亿美元。

介质刻蚀和硅刻蚀占据市场主要地位，市场主要由美日企业占据主导地位。刻蚀设备主要由泛林半导体、东京电子和应用材料企业占主要份额，占比分别为55%、20%和19%。根据刻蚀的材料不同，主要分为硅刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀，介质刻蚀用于接触孔和通孔结构的制作，硅刻蚀用于除硅场合，金属刻蚀用于去掉铝合金复合层，制作出互联线，而市场上刻蚀主要以介质刻蚀（占比49%）和硅刻蚀（占比48%）为主，金属刻蚀仅占3%。国内厂商主要由中微公司已掌握5-纳米的介质刻蚀技术，北方华创掌握了28-纳米的硅刻蚀和介质刻蚀技术。

干法刻蚀是市场主流刻蚀工艺，源于干法刻蚀保真性较好。按照刻蚀方法不同，主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，湿法刻蚀工艺主要是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀。目前看，干法刻蚀占据了市场主流地位，市场占比高达95%左右。主要源于干法刻蚀相对可控在垂直方向的材料刻蚀，不会影响横向材料，这样能够将细小图像转移保真，但是湿法刻蚀在液体内刻蚀方向不可控，会降低高制程芯片内部线宽宽度降低，导致线路本身会受到破坏，造成良品率下降。

3、薄膜沉积设备国产化率最快

薄膜沉积设备是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，所沉积的薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅和多晶硅等非金属或者铜等金属。薄膜沉积设备主要在晶体薄膜生成环节发挥介质层与金属层的沉积作用，包括了CVD（化学气相沉积）设备、PVD（物理气相沉积）设备以及ALD（原子层沉积）设备，是先进工艺制程部分所需的薄膜沉积设备。

原子层沉积（ALD）又属于化学气相沉积（CVD）的一种，是当前最先进的薄膜沉积技术，能将物质以单原子薄膜形式一层一层沉积在基底表面。化学气相沉积是指用金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等热分解，氢还原在高温下发生化学反应析出金属、氧化物、碳化物等材料；PVD是将原子从原材料靶材上溅射出来，利用物理过程实现物质转移，沉积形成导电电路。其中CVD设备在薄膜沉积设备中占有量接近60%，其次是PVD设备占有量接近25%，最后是ALD设备占有量接近18%。

薄膜沉积设备是晶圆制造的三大主要设备之一，投资规模占晶圆制造设备总投资的25%，国产化率仅为2%，主要依赖进口，全球市场规模上百亿美元。年全球半导体薄膜沉积设备市场规模约亿美元，预测年有望达到亿美元。薄膜沉积设备也属于市场集中度较高行业，行业基本由应用材料、ASM、泛林半导体、东京电子等国际巨头高度垄断，国产薄膜沉积设备市占率仅有2%，设备主要依赖进口，国内龙头企业主要为北方华创以及沈阳拓荆，北方华创能够生产三类薄膜沉积设备，后者主要生产CVD和ALD，目前国产设备技术水平达到28/14纳米。

(二)半导体封测设备

半导体封测是指半导体的封装和测试环节，是半导体制造过程中最重要的收尾环节。半导体封装是利用薄膜细微加工等技术，将芯片在基板上布局，通过固定及连接并用可塑性绝缘介质灌装后形成电子产品的过程，目的是保护芯片免受外界伤害，同时保证芯片的散热性能，以实现电能向电信号的传输，确保系统的正常工作。而半导体测试是对芯片外观和性能进行检测，确保产品的质量符合要求。具体又可分为两个阶段，一个是封装之前的晶圆测试，主要测试电性，另一个是IC成品测试，主要测试IC功能、电性与散热是否正常。

封测市场规模较小，百亿市场规模，主要以测试机占比为主，国内自给率逐年增长，年自给率接近15%，有望最早实现国产替代。根据SEMI数据测算，半导体测试设备在半导体设备中占比8%左右，年中国半导体测试设备市场规模大约13亿美元，全球测试设备市场规模在65亿美元左右，其中测试机占比最大，达到60%以上，分选机和探针台各占比大约在15%左右。国内半导体测试设备同样呈现集中度较高特点，主要集中在美国的泰瑞达和日本的爱德万厂商手里，年二者合计占比接近82%。但国内市场发展迅速，封测设备市场后续有望最先实现国产替代，目前国内主要厂商为长川科技等。

1.2.3.半导体企业业务模式

缺芯主要源于产能供给不足，短期IDM模式占优，长期Fabless模式可以熨平周期波动。半导体企业主要有三种业务模式，分别是IDM模式、Fabless模式和Foundry业务模式。IDM模式能够集芯片设计、制造封测于一身，属于垂直一体化企业，这类模式的优势是设计、制造等环节能产生协同优化作用，有助于充分挖掘技术潜力，能有条件率先实验并推行新的半导体技术。劣势是公司规模庞大，管理成本较高，运营费用较高，资本回报率偏低。早期多数电路企业采用此模式，目前仅有少数企业能够维持，代表企业如英特尔和三星。

Fabless模式只负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试和封装环节外包。此类公司资产较轻，初始投资规模较小，初创企业难度较小，企业的运行费用相对较低，转型相对灵活。和IDM模式相比，无法产生工艺协同优化，难以完成指标严苛的设计，和Foundry模式相比，需要承担各种市场风险，代表性企业有高通和博通。

Foundry模式不负责芯片设计，只负责制造或封测，可以同时为多家设计公司提供服务，但会受制于公司间的竞争关系，但不承担由于市场调研不准，以及产品设计缺陷等决策风险。主要劣势如投资规模较大，维持生产线正常运作费用较高，需要持续投入维持工艺水平，一旦落后追赶难度较大，此类代表企业有台积电和中芯国际。

1.2.4.半导体下游市场需求情况

半导体下游需求较为广泛，主要包括了移动通信、计算机、存储器、无线网络、汽车电子、电视机和监测设备等，其中，计算机和移动通信需求占比最大，PC端的需求占比26%，移动通信占比14%，VR、人工智能、汽车电子和工业电子等新领域的半导体需求占比25%左右。从当前看，PC和5G移动端带动了对先进制程工艺需求增长，整体需求增速持续性不大。汽车电子成为了本轮缺芯潮的新增需求，但汽车电子端对芯片需求主要集中在功率半导体芯片需求，后续随着物联网的快速发展，芯片的增量需求将是指数级增长。

一、新能源车和5G是半导体需求的主要方向

根据英飞凌数据显示，年功率半导体在插电混合动力汽车中单车价值美元，在纯电汽车领域单车价值量为美元。据此计算，年全球新能源汽车功率半导体市场约为7.5亿美元，到年，全球纯电动汽车销量有望达到0万辆，插混乘用车有望达到万辆，假设功率半导体用量年增3%，则年新能源乘用车功率半导体市场规模有望达到45亿美元。由此计算车载功率半导体市场在-年的CAGR达到35%。

5G对存储和逻辑芯片需求大幅增加，是4G时代的1.7倍左右，和4G手机相比，5G手机的DRAM由1-12GB升级为6-13GB，NAND由此前的8-GB，升级到了GB-GB，而AP核由此前的4-8核升级到了8核，CIS摄像头芯片由此前的1-7个升级为4-7个。此外，5G移动端还需要外挂一颗基带芯片或者集成于AP之中。5G手机对存储和逻辑类芯片需求提升，将大大提升对12寸晶圆的需求量。根据SUMCO测算，单机12寸晶圆的需求将随着芯片需求的大幅增加而提升70%。

此外，5G手机对电源管理芯片（PMIC）的用量倍增，一方面，5G手机需要支持更多的频带，给手机内部电源管理系统带来较大的压力，因此需要电源管理芯片，另一方面，多核处理器、高清显示、高像素摄像头都增加了功耗，对快充的需求提升以及无线充电功能的增加也带动了电源管理芯片的需求用量，4G手机平均电源管理芯片用量在4-5颗，升级到5G后用量可以达到7-8颗。

二、物联网和快充领域对功率半导体芯片需求较大

物联网数据量大，设备数量规模呈现指数级需求增长。节点的海量新是物联网最主要的特征，除了人和服务器之外，物品、设备、传感器等都是物联网的组成节点。根据HIS数据显示，-年，物联网设备数量将从.1亿增长至.4亿，CAGR达到17%。海量的设备连接数目有望推动模拟芯片的需求得到快速放量增长，-年，全球物联网半导体市场将从亿美元增长至亿美元，CAGR将接近18%左右。国内随着华为鸿蒙系统的到来，未来将加速大量应用场景的快速落地，万物互联时代智能类产品的放量将带来亿元的半导体增量需求。

快充领域的需求增长，未来也将为第三代半导体材料的发展提供较大的需求动力。全球年的氮化镓功率半导体市场规模仅有万美元，预测年将超过3.5亿美元，在-年间，CAGR达到85%，虽然市场较小，但增速较快。如果乐观预计，主流手机品牌如苹果、三星和华为等厂商同样采用氮化镓的电源适配器，这一市场规模年有望超过7.5亿美元。预测年国内的平板快充氮化镓市场规模是1.5亿美元，预计到年这一市场规模将超过20亿美元，CAGR将达到97%，届时晶圆需求将达到67.4万片。

1.3.本轮半导体景气度上升的逻辑

全球半导体市场大致每4年一个周期，短期主要看库存周期，由于库存周期导致的供需错配往往带来的是量价关系的变化。目前看，短期由于19年受到消费电子需求端下降的影响，导致全球半导体销售额有所下滑，引发主要晶圆厂商缩减产能，后续20年开始受到汽车电子需求端上升带来增量影响，叠加疫情原因，居家办公、在线学习等宅经济推动了PC和移动端消费需求上升，从而对芯片需求大幅增加，而正常晶圆扩产周期在12~24个月，预计此轮需求回暖导致的芯片紧缺将维持到年。

全球年半导体计划资本支出减少，导致晶圆代工厂的产能有所下滑。数据根据年统计各家企业的年计划资本开支情况显示，年全球半导体计划资本支出保持微小增长仅2%水平，由于资本开支70%是投入购买设备新建产线，意味着多数企业在年时点并未预估到年起的产能紧张问题，导致对年计划资本开支不足。

1.3.1.传统消费电子需求快速上升

疫情带来PC、数据中心和新能源等产业的逆势增长，这是芯片需求突然暴增的真正原因。从年开始，PC市场就一直停滞不前，连续六年呈现下滑趋势，市场一度认为PC产业是夕阳产业，但疫情影响，居家办公、在线学习和消费续期等宅经济推动了PC产业发展，主要是台式、笔记本、平板和手机，PC从CPU、DRAM、硬板到电路板都是对芯片有极大需求，芯片市场的供需不平衡被进一步放大。

从年三季度开始，全球智能手机、平板电脑和PC等消费电子出货量增速较快。但目前看，主要是疫情影响消费需求有所上升，但是由于传统消费电子本身没有发生大的技术变革，相对增速后期或有所下降。

新能源车需求突增是加剧本轮芯片紧缺的重要因素，未来新能源汽车领域将是芯片重要需求力量。疫情后期，全球受新能源车产业政策的刺激，消费需求大幅增加，而前期多数芯片制造企业产线主要为传统消费电子做布局，造成了汽车芯片产线产能供给不足，产能不足同时，多数企业为了避免自身工厂停工，积极开展囤货，进一步加剧了芯片紧张局面。国内年全年新能源汽车产量.6万辆，同比增速13.38%，销量.73万辆，同比增速22.35%。到年，我国新能源汽车销售量要达到汽车新车销售总量的20%左右。同时根据美国最新产业政策要求，年全美新能源汽车销量占比达到50%，未来新能源车长期确定性趋势较强。

2.半导体行业转债和正股关系

2.1.可供选择的半导体转债数量不多

2.1.1.电子行业转债发行情况

历史上电子行业转债发行规模合计亿元，合计转债数量44只，存续电子转债规模.46亿元，存续转债数量28只；半导体行业转债历史合计发行规模亿，合计转债数量7只，此外，有一只半导体测试环节的华天转债已退市，剩余的5只转债，有3只转债已上市交易，流通规模51亿，分别是韦尔、捷捷和国微转债，另有两只新发而尚未上市的闻泰和富瀚转债。

分评级看，AA+的转债发行规模总量最大，AA的转债发行数量最多，总体看，转债评级分布在A+~AA+范围内。多数评级对于机构投资者入库不难，参与机会较多，可主动把握弹性较高的转债博取超额收益。

2.2.一级申购应该积极参与

2.2.1.破发半导体转债较少

电子行业转债破发少见，近期上市的半导体转债首日涨幅可观，受益市场景气度较高影响。近期上市的电子行业转债，半导体转债首日上市表现较强，首日涨幅达到40%以上，一方面是受当前半导体行业景气度较高影响，另一方面是股票市场对成长股的偏好情绪有所上行。

2.2.2.持有至到期累计收益率可观

当从申购到退市退出，转债的持有累计收益率平均能够接近40%。

2.3.电子行业转债和正股关系

根据历史上发行的电子转债情况，大致将电子转债存续的时间段划分为三段（三段之外无存续电子转债），分别是/8/26~/11/25，/12/29~/6/29以及/12/11~至今的三个时期，具体有如下特点，①第一个时期转债指数表现更多是防御性的紧跟正股，而在正股有突破性上涨的情况下，转债会表现出欠涨；②第二个时期，转债指数表现弱于正股表现；③第三个时期，转债指数在这一时期表现较强，强于正股，行业下游景气度较高，转债也正是市场最为

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkcf/3458.html